电子特气制冷机组作用：精准控温特气蒸气压、稳定气源流量、低温精馏提纯、液态储存输送、真空冷阱捕集杂质，控温区间覆盖 - 20℃~-150℃，精度 ±0.01~±0.1℃，分上游特气生产提纯、中游晶圆 / 面板 / 光伏制程、下游封装测试、配套废气回收四大板块。

一、上游：电子特气生产、提纯、储存（化工气体厂）

1. 特气低温精馏纯化

硅烷 SiH₄、乙硅烷、磷烷 PH₃、砷烷 AsH₃、六氟化钨 WF₆、三氟化氮 NF₃、氯化氢 HCl、氟碳类刻蚀气低温分离提纯，-80~-120℃低温精馏去除杂质，达到 6N/7N 极高纯标准。

稀有气体（氦、氖、氪）液化分馏，低温冷凝分离杂质组分。

2. 液态特气储罐 / 气柜恒温制冷

高沸点液态特气（WF₆、C₄F₈、金属有机源 MO 源）储罐持续恒温冷却，防止气化超压，稳定饱和蒸气压，保障供气流量恒定。

易燃易爆特气（硅烷、磷烷）配套防爆型复叠制冷机组，隔绝温升爆炸风险。

3. 特气分装、钢瓶充装控温

低温充装液态特气，控制充装密度，避免升温膨胀超压，适配特种气体钢瓶批量灌装生产线。

二、中游：半导体集成电路

1. MOCVD 外延（LED、功率半导体、第三代半导体）

冷却三甲基镓 TMGa、三甲基铟 TMIn、二茂镁等 MO 金属有机源，低温稳定液态挥发，精准控制气相浓度，保障外延片厚度均匀，温度 - 20~-60℃高精度恒温。

2. 离子注入工序

冷却磷烷、砷烷、三氟化硼掺杂气源，恒定蒸气压，精准控制离子注入剂量，避免温度波动造成芯片掺杂不均、良率下降。

3. CVD/ALD 薄膜沉积

硅烷、二氯硅烷、氨气低温稳压输送，稳定硅膜、氮化硅、氧化硅沉积速率；

钨 CVD：六氟化钨 WF₆气源冷却控温，控制钨金属成膜均匀度；

ALD 原子层沉积配套小型低温制冷机组，微量特气精准温控。

4. 干法刻蚀 / 腔体清洗

冷却 NF₃、CF₄、C₂F₆、八氟环丁烷等氟系刻蚀气与清洗气，稳定等离子刻蚀速率，细微沟槽图案一致性；先进 EUV 制程配套极低温氮气制冷气源。

5. 氧化、扩散制程

固态 / 液态掺杂源恒温冷却，稳定杂质挥发量，保障晶圆整片掺杂均匀。

6. 真空腔体冷阱（Cold Trap）

-80~-110℃冷阱制冷机组，冷凝吸附管路水汽、有机杂质、未反应特气，保护真空泵、提升真空度，防止腔体污染。

三、中游：平板显示 FPD（LCD/OLED/Mini/Micro LED）

OLED 蒸镀 MOCVD：有机发光源低温恒温制冷，稳定气相蒸发，保证屏幕发光均匀无色斑；

薄膜晶体管 TFT 沉积、干法刻蚀、腔体清洗，配套氟气、硅烷特气制冷稳压；

面板制程真空管道冷阱，低温捕集有机挥发物，减少面板黑点缺陷。

四、中游：光伏 / 新能源（硅片、电池、IGBT 功率器件）

光伏硅片外延、PECVD 沉积硅膜：硅烷气源制冷稳压；

IGBT、碳化硅 SiC 功率半导体：MOCVD 碳化硅外延、离子注入掺杂特气控温；

钙钛矿电池前驱体低温供气制冷，有机金属源恒温储存输送。

五、下游：芯片封装、晶圆测试、可靠性验证

探针台、晶圆高低温测试台：低温氮气 / 氩气制冷气源，-60~-100℃模拟**工况，测试芯片低温电性能；

封装前低温冷冻脱胶、晶圆低温剥离；

器件老化、高低温循环测试腔体气源恒温制冷，替代高成本液氮连续供冷。

六、配套环保：电子特气废气冷凝回收

刻蚀、CVD 尾气低温冷凝回收未反应高价特气（WF₆、NF₃、硅烷），循环复用降低成本；

含氟废气低温液化分离，无害化处理，减少氟化物排放，适配半导体废气处理站。

七、细分特殊场景

第三代半导体（GaN、SiC）量产线全套 MO 源、掺杂特气制冷；

科研实验室：高校 / 研究所半导体实验平台、小型 MOCVD、离子注入设备配套小型低温制冷机组；

特种气体输送管道全线伴冷，长距离供气防止特气气化压力波动；

航天微电子、射频芯片、传感器精密制造特气恒温供气。

 

江苏康士捷机械设备有限公司工业控温设备 产品规格汇总

一、全系列温度机型覆盖

高温型：5℃～35℃

中温型：-5℃～-40℃

低温型：-40℃～-80℃

极低温型：-150℃～-80℃

冷热两用型：-150℃～+300℃

二、设备定制及功能配置

制冷量规格齐全，可适配不同工况负荷

可选特殊机型：防爆型、防腐型、撬装式、变频型

支持非标定制，按需适配现场安装及工艺要求

控温精度可选：温度稳定精度 ±0.1℃等

 

江苏康士捷机械设备有限公司

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