半导体冷水机（Chiller）应用场景及温度范围

半导体冷水机贯穿前道晶圆制造、后道封装测试、量检测设备全流程，特点：高洁净、控温精度高（常规 ±0.1℃，高端可达 ±0.01℃），介质多为去离子水、乙二醇、氟化液等，部分深冷工况采用复叠制冷机组。

一、前道晶圆制造工艺

工艺环节	冷却对象	典型温度区间	控温精度	工艺说明
光刻（Lithography）	DUV/EUV 激光光源、投影物镜、晶圆台、涂胶显影单元	1826℃（恒温，常用 22℃）	±0.01~±0.1℃	抑制光学元件热变形，保证曝光线宽精度，先进制程多通道独立控温
刻蚀 Etch	反应腔、射频电源、静电卡盘 ESC、腔体壁	030℃；特种深冷刻蚀40~20℃	±0.05~±0.1℃	稳定等离子体，控制刻蚀速率、选择比，多通道分别冷却腔体与 ESC 卡盘
CVD/PVD/ALD 薄膜沉积	反应腔、基座、气体管路	1040℃；部分工艺20~+80℃	≤±0.1℃	保障薄膜厚度、组分均匀性，防止副产物冷凝附着腔壁
离子注入	离子源、加速器电极、靶材束流管道	20~+80℃	±0.05℃	冷却高能束流部件，避免束流发散、晶圆晶格损伤
CMP 化学机械抛光	研磨头、抛光液循环系统	1530℃	±0.1~±0.5℃	控制抛光速率与晶圆表面平整度，抑制抛光液温升变质
单晶炉 / 外延炉	炉体、坩埚冷却回路	2045℃	±0.2℃	控制晶体生长热应力，保障晶棒品质

二、后道封装与芯片测试

应用场景	冷却对象	温度区间	精度	说明
探针台、晶圆测试	晶圆卡盘、测试板卡	40℃~+120℃	±0.1℃	宽温域模拟芯片实际工作环境，做电性、可靠性测试
可靠性高低温循环测试	芯片、模组、功率器件	70℃~+150℃	±0.2℃	温度循环、热冲击，失效分析；深冷机型采用复叠制冷
键合、回流焊	焊头、腔体冷却回路	2040℃	±0.3℃	抑制热扩散，保护封装胶体

三、量检测与辅助设备

设备	温控对象	温度范围
SEM、TEM、AFM 量测设备	电子枪、光学组件、样品台	1826℃，精度 ±0.05℃
分子泵、真空腔体	泵体、磁悬浮分子泵冷却	1035℃
EFEM 晶圆传输模块	机械手、晶圆预温控	室温～+40℃

四、半导体冷水机按温区分型

常温精密型（5~45℃） 单级压缩，用于光刻、CMP、分子泵、普通腔体散热，占 FAB 工厂用量大，介质：去离子水，精度 ±0.01~±0.1℃。

中低温型（40℃ ~ +40℃） 双级压缩，用于常规刻蚀、离子注入、探针台低温测试，介质：乙二醇、氟化液。

极低温复叠型（80℃ ~40℃，低温可达100~150℃） 复叠制冷，特种深冷刻蚀、新材料芯片低温测试、特种 ALD 工艺，冷却液采用低粘度专用冷媒，设备成本高，24h 连续运行要求高。

选型关键点：半导体工况优先关注控温精度、介质兼容性、管路洁净等级、电导率控制、多通道独立控温、通讯协议 RS485 / 以太网，40℃以下须选用复叠式机组，普通单级压缩无法稳定运行。

 

江苏康士捷半导体冷水机产品规格汇总

一、全系列温度机型覆盖

高温型：5℃～35℃

中温型：-5℃～-40℃

低温型：-40℃～-80℃

极低温型：-150℃～-80℃

冷热两用型：-150℃～+300℃

二、设备定制及功能配置

制冷量规格齐全，可适配不同工况负荷

可选特殊机型：防爆型、防腐型、撬装式、变频型

支持非标定制，按需适配现场安装及工艺要求

控温精度可选：温度稳定精度 ±0.1℃等

 

江苏康士捷机械设备有限公司

联系方式

全国 400 热线：400-9918-099

手机 / 微信（销售）：18936116792

官网：www.ksjwk.cn

地址：江苏省苏州昆山市

半导体冷水机江苏康士捷机械设备有限公司多案例供参考。